EDI模塊 （電除鹽）出水硅含量高通常由以下原因?qū)е拢?br /> 進(jìn)水水質(zhì)問題
硅含量過高：進(jìn)水 SiO? 濃度超標(biāo)（建議控制<0.5ppm）會(huì)導(dǎo)致陰離子交換膜表面沉積硅垢，難以通過常規(guī)清洗去除。
硬度離子 超標(biāo)：鈣、鎂等硬度離子與硅共同作用易形成復(fù)合垢，堵塞流道并降低產(chǎn)水效率。
有機(jī)物 污染：水中有機(jī)物（如TOC>0.5ppm）會(huì)形成污染層，阻礙離子遷移并可能造成樹脂中毒。

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運(yùn)行參數(shù)異常
進(jìn)水壓力 過高：長(zhǎng)期高壓可能導(dǎo)致膜片穿孔或樹脂壓實(shí)，增加硅離子泄漏風(fēng)險(xiǎn)。
電流 控制不當(dāng)：電流過高或過低均會(huì)影響離子遷移效率，間接導(dǎo)致硅去除率下降。
設(shè)備維護(hù)問題
保安過濾器 缺失：未安裝保安過濾器會(huì)導(dǎo)致雜質(zhì)（含硅化合物）直接進(jìn)入EDI模塊，加速樹脂污染。
清洗周期過長(zhǎng)：硅垢未及時(shí)清除會(huì)逐漸堵塞膜堆，降低產(chǎn)水純度。
需結(jié)合水質(zhì)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)調(diào)整預(yù)處理工藝（如增加 RO系統(tǒng) 維護(hù)），并優(yōu)化EDI模塊運(yùn)行參數(shù)（如壓力、電流），必要時(shí)更換受損模塊組件